H Samsung εγκαταλείπει σταδιακά την επεξεργασία FinFET για τη δική της MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) με κόμβους διεργασίας 3nm. Η Samsung αποκάλυψε το roadmap της στην τεχνολογία κατασκευής ημιαγωγών. Η εταιρία λέει ότι θα παρέχει στους κατασκευαστές τα επόμενα χρόνια τη δυνατότητα να κατασκευάζουν SoC με υψηλή επεξεργαστική ισχύ και χαμηλή κατανάλωση για ένα μεγάλο εύρος εφαρμογών στους τομείς των υπολογιστών και της διασύνδεσης.
To πλάνο της εταιρίας περιλαμβάνει τις εξής ενημερώσεις:
- 7LPP (7nm Low Power Plus): H πρώτη επεξεργαστική μέθοδος με λιθογραφία EUV θα είναι έτοιμη το δεύτερο μισό του 2018. Καίρια σημεία της μεθόδου που τώρα αναπτύσσεται θα είναι έτοιμα το πρώτο μισό του 2019.
- 5LPE (5nm Low Power Early): Μετεξέλιξη της μεθόδου επεξεργασίας 7LPP που θα δώσει ακόμη μικρότερα εξαρτήματα και υψηλότερη ενεργειακή απόδοση.
- 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus): Προϊόν του τελικού σταδίου εξέλιξης της τεχνολογίας FinFET θα είναι η λιθογραφία των 4nm. Η απόδοσή της θα εξασφαλιστεί με την προσαρμογή της 5LPE.
- 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus): Σε αυτό το σημείο τα όρια της αρχιτεκτονικής FinFET θα είναι σοβαρός περιοριστικός παράγοντας. Η Samsung αναπτύσσει τη δική της αποκλειστική αρχιτεκτονική GAA, την MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) με επεξεργαστικές νανοδομές κόμβων 3nm.
Σύμφωνα με τις ανακοινώσεις της εταιρίας που έγιναν στο 3o ετήσιο Samsung Foundry Forum στη Santa Clara της California (SFF 2018 USA), οι τεχνολογίες της, από την 7LPP ακόμη, θα δώσουν ώθηση στις δυνατότητες στους τομείς Artificial Intelligence (AI) και Machine Learning. Επίσης, υψηλό θα είναι το κέρδος των τεχνολογιών των διασυνδεδεμένων συσκευών, κυρίως στην εποχή 5G και στην επικοινωνία των αυτόνομων οχημάτων – Vehicle to Everything (V2X) communication.

